/

Транзистор кт829а технические характеристики

Технические характеристики транзисторов КТ829, kt829 с буквенными индексами А, Б, В, Г. Приведено фото транзистора КТ829, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены.

КТ829 — мощный низкочастотный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N. Транзисторы КТ829 отличаются высоким коэффициентом усиления и применяются в усилителях низкой частоты, ключевых устройствах, электронных переключателях и т.п.

Рис. 1. Изображение транзистора N-P-N структуры на принципиальных схемах.

Внешний вид и описание

Рис. 2. Внешний вид составных транзисторов КТ829.

Транзисторы КТ829 выпускаются в пластмассовом корпусе TO-220. Цоколевка у транзисторов КТ829 — перевернутая. Более мощным аналогом является отечественный транзистор КТ827. Из зарубежных транзисторов наиболее близким по параметрам является TIP122.

Масса транзистора КТ829 составляет не более 2 грамм. Маркировка и обозначение типа ранзистора приводится на корпусе.

Рис. 3. Размеры корпуса и цоколевка транзистора КТ829.

Рис. 4. Электрическая схема транзистора КТ829.

Технические параметры

Таблица 1. Технические харакетристики транзисторов КТ829 с буквенными индексами А-Г.

Транзистор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
при T = 25°C
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт при TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКЭ, В IК, А UКЭ нас, В IКЭR, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ829А 8 12 100 100 5 60 25 150 85 750 3 3 2 1,5 4 2,08
КТ829Б 8 12 80 80 5 60 25 150 85 750 3 3 2 1,5 4 2,08
КТ829В 8 12 60 60 5 60 25 150 85 750 3 3 2 1,5 4 2,08
КТ829Г 8 12 45 45 5 60 25 150 85 750 3 3 2 1,5 4 2,08
Читайте также:  Шлифовальный станок из стиральной машины своими руками

Схема эквивалентной замены

Для замены транзистора КТ829 можно использовать пару КТ817 и КТ819, схема эквивалентного включения приведена ниже.

Рис. 5. Эквивалентная схема для замены мощного составного транзистора КТ829.

Технические характеристики транзистор КТ829 сделали его одним из известных, мощных, составных устройств советских времен данного типа, производимый по мезапланарной технологии. Схематично сделан по схеме Дарлингтона и состоит из двух биполярных транзисторов. Имеет структуру n-p-n. Их используют в усилителях низкой частоты и электронных переключателях. Обычно встречаются в выходных каскадах автомобильных регуляторов напряжения или в схемах управления сервоприводом.

Распиновка

Производят данный транзистор в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип корпуса данного прибора — КТ-28 по ГОСТ 18472-2 (зарубежный ТО-220). Весит он не более двух грамм. Имеет следующую цоколевку: 1 — база, 2 — коллектор, 3 — эмиттер.

Очень редко встречается в пластиковом корпусе ТО-252 (КТ-89), например КТ829-А2, со схожей распиновкой. Если смотреть на маркировку указанную на корпусе, то слева на право будут — база, коллектор, эмиттер.

Характеристики

Транзистор КТ829 обладает следующими максимально допустимыми предельными эксплуатационными характеристиками:

  • максимальное напряжение: коллектор-эмиттер до 120 В; коллектор-база до 120 В;
  • постоянное напряжение между базой и эмиттером до 5 В;
  • ток коллектора: постоянный до 8 А; импульсный до 12 А;
  • рассеиваемая мощность коллектора до 60 Вт;
  • статический коэффициент передачи тока (H21Э) — до 750;
  • ток базы до 0,2 А;
  • температура: перехода до +150 °C; окружающей среды от – 40 до + 85 °C.

Ниже приведены значения электрических параметров КТ829, при определенных условиях эксплуатации.

Серия КТ829 классифицируется по группам от «А» до «Г». Группа «Г» имеет худшие характеристиками во всей серии, а современный КТ829АТ лучшими. КТ829АТ представляет собой улучшенный вариант КТ829А. У него расширен температурный диапазон до военных рамок от -60 до +125°С, а статический коэффициент передачи тока H21Э. достигает аж 8000.

Читайте также:  Теплота сгорания коксового газа

Значительно меньшая рассеиваемая мощностью на коллекторе (до 20 Вт) у КТ829А2 (ТО-252), отличает его от всей серии. У него так же снижен рабочий диапазон температур от -60 до +1оо °С, по сравнению с «АТ».

Аналоги

Транзистор КТ829А можно заменить такими зарубежными аналогами: BD267B, 2SD686, 2SD691, 2SD692, BDW23C, BDх53C, TIP122, BD263A, BD265A, BD267A, BD335, BD647, BD681. Наиболее мощным из них является TIP122. КТ829А также прекрасно заменяется отечественным аналогом КТ827, который по мощности не уступает рассматриваемому. Еще один способ заменить его, это спаять схему из двух транзисторов КТ817 и КТ819.

Можно также найти данный транзистор в старой аппаратуре, производившейся еще при СССР. Так, он точно есть в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео», «Радиотехника У-101 стерео» и видеомагнитофоне «Электроника ВМ-12». Также данный транзистор использовался в старых советских телевизорах в модуле коррекции растра.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для КТ829 является КТ853. У него как и у рассматриваемого устройства, ток коллектора 8 А, рассеиваемая мощность с теплоотводом 60 Вт, граничная частота передачи тока 4 МГц.

Производители

В СССР эти приборы изготавливались на Фрязинском заводе имени 50-летия СССР и возможно на Хасавюртском заводе «Эльтав». В настоящее время продолжают выпускать этот транзистор АО «Группа кремний ЭЛ», АО «Элиз» г. Фрязино, а также ЗАО «Кремний Маркетинг» г. Брянск. Кликнув по наименованию предприятия, можно скачать техническое описание (DataShet) на кт829.

Биполярный транзистор KT829A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT829A

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Читайте также:  Установка деревянной лестницы цена за работу

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

KT829A Datasheet (PDF)

����������� ���������� n-p-n, ��������� �������� ��829� Ik max,A 8 U��o ��(U��� max)[U��r max],B100 U��� max,B 100 P� max(P max),�� 60 T� max,C 150 h21�(h21�)[S21 ���] 750 ��� U��(U��),B 3 ��� I�(I�),A 3 U�� ���,B 2 I���(I��R),��� 1500 f��(fh21),��� 4 R� �-�(R� �-�),�/�� 2.08

5.1. kt8297.pdf Size:194K _integral

КТ8297 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в линейных усилителях, сх�

5.2. kt8290.pdf Size:199K _integral

КТ8290А высоковольтный биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в импульсных источн

5.3. kt8296.pdf Size:194K _integral

КТ8296 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в линейных усилителях, сх�

Оцените статью
Добавить комментарий