P0903BDG MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P0903BDG
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 56 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO252
P0903BDG Datasheet (PDF)
1.1. p0903bdg.pdf Size:532K _unikc
P0903BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) >3.1. p0903bd.pdf Size:521K _unikc
P0903BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) >3.2. p0903bda.pdf Size:493K _unikc
P0903BDA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) >
3.3. p0903bdb.pdf Size:465K _unikc
P0903BDB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) >3.4. p0903bdl.pdf Size:455K _unikc
P0903BDL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) >
Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .
Номер в каталоге : P0903BDG
Function : N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor / TO-252 (DPAK)
даташит PDF Download
Другие с той же файл данные :
P0903BDG